2025年9月22日，市场传来重磅消息：存储巨头三星电子宣布对DRAM和NAND闪存产品进行大幅提价，其中DRAM涨幅高达30%，NAND闪存涨幅则在5%-10%。此次提价覆盖了LPDDR4X、LPDDR5、LPDDR5X等主流DRAM产品，以及eMMC和UFC系列NAND闪存，成为继美光、闪迪之后，又一家加入存储产品涨价阵营的行业头部企业。消息公布当日，三星电子股价应声大涨4.77%，收于83500韩元，盘中最高触及83400韩元，创下近一年来的股价新高，市场对存储行业回暖的预期可见一斑。
巨头齐聚：全球存储企业开启“涨价模式”
三星的提价并非孤立事件，近期全球存储行业已呈现集体涨价的态势。9月13日，美光率先释放强烈信号，以“客户需求预测显示重大供应短缺”为由，紧急暂停所有存储产品报价，暂停周期为一周。据行业消息，美光计划对DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等全系列存储产品调涨20%-30%，其中汽车电子相关存储产品涨幅更是高达70%，覆盖消费级、工业级及车载等多个应用领域。更早之前，NAND闪存原厂闪迪已启动价格调整，宣布对全部渠道通路和消费类NAND产品执行10%的普涨。闪迪在公告中明确表示，涨价源于AI应用爆发及数据中心、客户端、移动设备三大领域存储需求的同步增长，未来将根据市场动态定期评估价格，不排除未来几个季度进一步调价的可能。三大存储巨头接连出手，标志着持续已久的存储行业价格低迷期正式终结，新一轮涨价潮全面来袭。
供需失衡：涨价潮背后的双重推手
此次存储产品集体涨价，核心驱动力在于供需关系的显著变化。从供应端看，以三星为代表的存储大厂正进行战略重心转移，将产能向AI PC、下一代智能手机等新兴市场及HBM（高带宽内存）等高利润产品倾斜，导致传统DRAM和NAND闪存的产能供应收缩。数据显示，三星目前在全球DRAM和NAND市场的占有率分别达到32.7%和32.9%，其产能调整对行业供应格局具有决定性影响。需求端的增长则进一步加剧了供应紧张。一方面，大型云企业对数据存储的需求持续攀升，拉动传统存储产品出货量增长；另一方面，AI热潮下，英伟达、AMD等企业对AI加速器的需求暴增，存储大厂优先保障HBM等AI相关高端产品供应，使得消费级DRAM等传统产品的供应缺口进一步扩大。供需两端的双重作用，共同推升了存储产品价格的快速上涨。
行业转向：结构性变革下的未来展望
本轮涨价潮本质上反映了存储芯片行业正经历深刻的结构性转变。AI技术的爆发式增长正在重塑行业竞争格局，HBM等高端存储产品成为各大厂商的战略必争之地。就在三星宣布涨价的同时，其12层HBM3E芯片产品顺利通过英伟达认证测试，这一突破将进一步巩固三星在AI存储赛道的竞争优势，也意味着行业资源向高端化、AI化倾斜的趋势将持续强化。对于传统存储产品市场，摩根士丹利给出了积极预判：随着HBM市场竞争加剧，存储大厂的产能分配将逐渐趋于平衡，传统DRAM和NAND产品有望在2026年迎来更可持续的增长。短期内，涨价潮将缓解存储企业的盈利压力，但长期来看，如何在AI驱动的行业变革中把握技术方向、平衡产能布局，将成为决定各大存储巨头未来竞争力的关键所在。